English
version

Новости

24 мая 2019

Cadence объявила о широкой поддержке стандартов памяти следующего поколения при изготовлении на новейших технологических процессах полупроводниковой фабрики Samsung Foundry

24 мая 2019 года — Компания Cadence Design Systems, Inc. объявила о широкой поддержке изготовления памяти на ряде передовых технологических процессов фабрики Samsung Foundry для приложений, требующих высокой пропускной способности. В результате многолетнего сотрудничества с Samsung Foundry компания Cadence осуществила тейпауты следующих СФ-блоков памяти: DDR5/4 PHY на техпроцессе Samsung 7нм Low Power Plus (7LPP), GDDR6 PHY на техпроцессе Samsung 14нм Low Power Plus (14LPP) и 2.4G High-Bandwidth Memory 2 (HBM2) PHY на техпроцессе Samsung 10нм Low Power Plus (10LPP), который после повторной характеризации превратился в 8нм Low Power Plus (8LPP). Кроме того, СФ-блок Cadence GDDR6 PHY был успешно изготовлен в кремнии на техпроцессе Samsung 7LPP. Клиенты могут начинать проекты с использованием интерфейсных СФ-блоков Cadence DRAM на передовых технологических процессах Samsung Foundry.

СФ-блоки Cadence, поддерживающие различные передовые техпроцессы фабрики Samsung Foundry, предназначены для нескольких нарождающихся областей применения, включая высокопроизводительные вычисления (HPC), мобильные устройства, искусственный интеллект (ИИ), интернет вещей, устройства обработки графической информации, системы автоматизированного вождения (AD) и системы адаптивной помощи водителю (ADAS). Выгода клиентов заключается в получении у одного поставщика доступа к полноценному набору СФ-блоков контроллеров, блоков физического уровня PHY и верификационных блоков (VIP), что сокращает время проектирования всего кристалла и снижает риски несовместимости блоков. Другие ключевые конкурентные преимущества заключаются в том, что:

— Cadence использует собственные проверенные в кремнии проекты DDR и SerDes, и это снижает риск при внедрении передовых технологий памяти;

— Низкий коэффициент ошибок по битам (BER) в СФ-блоке Cadence GDDR6 дает снижение количества повторных попыток на шине памяти, предоставляя приложениям большую пропускную способность и меньший показатель максимальной задержки;

— Расчетные предельные параметры проектов Cadence позволяют разработчикам памяти GDDR6 использовать печатные платы с обычными стекловолоконными материалами типа FR4, что снижает стоимость внедрения GDDR6;

— Наличие типового варианта проекта (референс-дизайн) Cadence для интерфейсов памяти позволяет разработчикам воспроизводить результаты, полученные на типовых кристаллах Cadence в своих собственных продуктах;

— Предлагаемые Cadence контроллеры памяти DRAM основаны на ведущем в отрасли DDR контроллере Denali®, который включает в себя полный набор функций для популярных интерфейсов памяти.

«Успешная реализация в кремнии и тейпауты Cadence на техпроцессах 7LPP, 8LPP, 10LPP и 14LPP фабрики Samsung Foundry — это важные вехи в нашем успешном сотрудничестве, и мы готовы обеспечивать наших общих клиентов высокопроизводительными блоками PHY памяти DDR5/4, GDDR6 и HBM2. Клиентам, проектирующим на продвинутых техпроцессах, теперь доступен целый набор СФ-блоков интерфейса DRAM от компании Cadence, что является частью общей задачи расширения производства интерфейсов DRAM на процессах фабрики Samsung Foundry», — отметил Дзеон Парк (Jaehong Park), исполнительный вице-президент по разработке дизайн-платформ в Samsung Electronics.

«Samsung Electronics является лидером в области самых современных технологий памяти. Мы неизменно первыми внедряем наиболее передовые решения в производство памяти. В сотрудничестве с Cadence мы продолжим расширять наши линейки премиальных модулей за счет добавления памяти, отличающейся высокой производительностью, большой емкостью и низким энергопотреблением, чтобы удовлетворить растущий спрос на современные приложения с высокой пропускной способностью, такие как высокопроизводительные вычисления, искусственный интеллект и системы ADAS», — сказал Гарри Юн (Harry Yoon), вице-президент подразделения планирования и прикладных разработок продуктов памяти в Samsung Electronics.

«Используя новейшие технологии Samsung Electronics, мы продолжаем способствовать передовым инновациям, о чем свидетельствуют успешный выпуск в кремнии нашего СФ-блока памяти GDDR6 PHY и наши последние тейпауты памяти типа DDR5/4 PHY, GDDR6 PHY и блока HBM2, — сказал Амджад Куреши (Amjad Qureshi), корпоративный вице-президент по исследованиям и разработкам подразделения Design IP в Cadence. — Наши общие клиенты могут получить доступ ко всем данным моделирования и эмуляции, это является гарантий того, что проекты будут работать, как задумано, и теперь мы готовы к взаимодействию с клиентами».

Характеристики используемой технологии

Клиенты, использующие СФ-блоки Cadence и планирующие изготовление своего чипа на продвинутых техпроцессах Samsung, могут достичь следующих характеристик производительности в своих устройствах:

— Технология GDDR6, реализованная на СФ-блоках Cadence, обеспечивает скорость передачи данных до 512 Гбит/с между ЦПУ-хостом и отдельным кристаллом GDDR6;

— Технология HBM2 с использованием СФ-блоков Cadence обеспечивает пропускную способность до 2400 Гбит/с между ЦПУ-хостом и отдельным стеком HBM2;

— Технология DDR5 с использованием СФ-блоков Cadence позволяет выделять до 128 Гбайт памяти DRAM на один канал.

Разработанные Cadence блоки PHY для памяти GDDR6, DDR5/4 и HBM2, а также модели памяти, уже доступны к использованию клиентами. Файлы проектных данных также доступны для предоставления избранным клиентам, начинающим работы по интеграции блоков в чип.

В России IP-бизнес Cadence представляет компания НАУТЕХ.

Оригинал этой статьи