English
version

Новости

Все теги
Подписаться на новости

Подпишитесь на рассылку, чтобы всегда быть в курсе последних новостей в мире технологий

Вы успешно подписались!

Мы отправили вам на указанный адрес письмо со ссылкой-подтверждением.

Закрыть
14 июля 2017

Imec впервые продемонстрировал германиевые приборы с окружающим затвором, имеющие канал диаметром менее 10 нм

14 июля 2017 года — На симпозиуме 2017 года по технологиям и схемам сверхбольшой степени интеграции (2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits) imec, ведущий мировой научно-исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий, представил новейшие усовершенствования технологических процессов для изготовления полупроводниковых приборов следующего поколения. Впервые были показаны уменьшенные p-канальные полевые транзисторы с окружающим затвором (Gate-All-Around, GAA) на основе напряжённого германия с диаметром менее 10 нм, размещенные на пластине диаметром 300 мм. Кроме того, с помощью отжига при высоком давлении (HPA) исследовательский центр добился значительного улучшения характеристик p-канальных плавниковых (FinFET) транзисторов на основе напряженного германия и приборов с окружающим затвором (GAA), в частности, повышена управляемость электростатическим полем.

Благодаря высокой подвижности носителей заряда, такие полупроводники, как германий и соединения AIIIBV, рассматриваются как возможные материалы для создания миниатюрных приборов будущего. Однако эти материалы имеют большую диэлектрическую проницаемость и меньшую ширину запрещенной зоны, чем кремний, что затрудняет электростатическое управление прибором с уменьшенной длиной затвора. Чтобы смягчить эту проблему, необходимо разработать новые архитектуры приборов, которые будут эффективнее управляться электростатическим полем. Результаты исследований imec обеспечивают значительное улучшение характеристик как p-канальных плавниковых (FinFET) транзисторов на основе напряженного германия, так и приборов с окружающим затвором (GAA).

Надин Коллаерт (Nadine Collaert), заслуженный член технического подразделения imec, говорит, что ее команда «адаптировала ранее созданный нами технологический процесс изготовления p-канальных плавниковых транзисторов (p-finFET) на основе напряженного германия (проектная норма 14/16 нм) для изучения преимуществ p-канальных транзисторов с окружающим затвором (GAA p-FETs) на основе напряженного германия, которые имеют малую длину затвора и диаметр канала менее 10 нм». Команда смогла изготовить GAA p-FETs с наименьшей на сегодняшний день длиной затвора (LG = 40 нм) и наименьшим диаметром нанопроводника (d = 9 нм). При такой малой длине затвора прибор обеспечивает отличное управление электростатическим полем с индуцированного стоком снижением барьера (DIBL эффект) на уровне 30мВ/В и подпороговым наклоном передаточной характеристики 79мВ/дек.

Во второй работе imec сообщает об использовании отжига при высоком давлении (HPA) для улучшения характеристик как германиевых плавниковых транзисторов (FinFET), так и приборов с окружающим затвором (GAA). В своей работе исследователи обнаружили, что в результате выполнения отжига при высоком давлении (HPA) при температуре 450 °C происходит улучшение качества границы раздела и повышение подвижности дырок (~ 600 см2/Vs). Также показано, что оптимизированный отжиг при высоком давлении (HPA) значительно улучшает электростатические и прочие характеристики приборов с окружающим затвором (GAA), например, SSLIN достигает 65 мВ/дек при LG = 60 нм, коэффициент Q — 15 при токе в закрытом состоянии IOFF ~ 3 × 10-9 А/мкм.

Исследования imec по глубокой миниатюризации логических элементов выполняются в сотрудничестве с ключевыми партнерами imec по фундаментальным программам усовершенствования КМОП (CMOS) технологии, в число которых входят GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix, Sony Semiconductor Solutions и TSMC.

Об imec

Imec — ведущий мировой исследовательский и инновационный центр в области наноэлектроники и цифровых технологий. Уникальность imec обусловлена сочетанием широко известного лидерства в области технологий изготовления микросхем и большого опыта в области программного обеспечения и информационных технологий. Используя инфраструктуру мирового класса, локальную и глобальную экосистему партнеров во множестве отраслей, imec создает прорывные инновационные технологии в таких областях, как здравоохранение, умные города и мобильность, логистика и производство, энергетика.

Будучи надежным партнером для компаний, стартапов и университетов, imec объединяет около 3500 блестящих умов из более чем 75 стран. Штаб-квартира imec находится в Лёвене, Бельгия, а распределённые исследовательские группы работают в ряде фламандских университетов, в Нидерландах, на Тайване, в США, Китае и в офисах в Индии и Японии. В 2016 году выручка imec (P & L) составила 496 миллионов евро.

Оригинал этой статьи.

Теги
Мы в соцсетях